E系列功率半导体测试电源高压程控电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
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| 产品货号 | 无 | 产品规格 | E300 |
| 所在地 | 湖北省 武汉市 | 品牌名称 | |
| 有效期至 | 长期有效 | 产品类别 | 切割设备 |
产品简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。功率半导体测试电源高压程控电源认准普赛斯仪表咨询，详询
技术指标
电压性能参数：
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电压 |
源 |
测量 |
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量程 |
分辨率 |
准确度±(% rdg.+volts) |
分辨率 |
准确度±(% rdg.+volts) |
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100V |
10mV |
0.1%±40mV |
10mV |
0.1%±40mV |
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600V |
60mV |
0.1%±100mV |
60mV |
0.1%±100mV |
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1200V |
120mV |
0.1%±300mV |
120mV |
0.1%±300mV |
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1600V |
160mV |
0.1%±400mV |
160mV |
0.1%±400mV |
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2200V |
220mV |
0.1%±700mV |
200mV |
0.1%±700mV |
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3500V |
350mV |
0.1%±900mV |
350mV |
0.1%±900mV |
电流性能参数：
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电流 |
源 |
测量 |
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量程 |
分辨率 |
准确度±(% rdg.+volts) |
分辨率 |
准确度±(% rdg.+volts) |
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1uA |
100pA |
0.1%±1nA |
100pA |
0.1%±1nA |
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10uA |
1nA |
0.1%±5nA |
1nA |
0.1%±5nA |
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100uA |
10nA |
0.1%±50nA |
10nA |
0.1%±50nA |
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1mA |
100nA |
0.1%±300nA |
100nA |
0.1%±300nA |
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10mA |
1uA |
0.1%±5uA |
1uA |
0.1%±5uA |
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100mA |
10uA |
0.1%±10uA |
10uA |
0.1%±10uA |
输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间典型值：<5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停、高压互锁保护；
触发：支持trig IN及trigout；
尺寸：19英寸2U机箱，深度：520mm(不包含挂耳及急停按钮)
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
联系我们：
单位名称：武汉普赛斯仪表有限公司
网站：
单位地址： 武汉市东湖技术开发区光谷三路777号6号保税物流园6号楼4楼402室
联系人：陶女士
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工作
邮箱：
目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。
中商贸易网供应商武汉普赛斯仪表有限公司供应功率半导体测试电源高压程控电源，为您提供详细的产品报价、参数、图片等商品信息，如需进一步了解，请与厂家直接联系。
产品信息网址：http://coai.net/productdetail/4233.html
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