E800型8000V半导体测试高压程控电源具有输出及测量电压高(8000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在象限，输出及测量电压0~8000V，输出及测量电流0~40mA
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| 产品货号 | 无 | 产品规格 | E800 |
| 所在地 | 湖北省 武汉市 | 品牌名称 | |
| 有效期至 | 长期有效 | 产品类别 | 切割设备 |
E800型8000V半导体测试高压程控电源具有输出及测量电压高(8000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在象限，输出及测量电压0~8000V，输出及测量电流0~40mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT老化电源、 防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。详询
产品特点
ms级上升沿和下降沿 减小待测物加电时间降低发热;
单台8000V，电流40mA，功率320W，可拓展10kV；
恒压或恒流输出，同步测试电压或者电流；
0.1%的精度，高压下nA级别的漏电流测试；
支持线性、对数及用户自定义扫描；
恒压限流，限流避免炸管
技术参数
型号 E800
电压源/量程 8000V
电流源/量程 40mA
输出功率 320W
精度 0.1%
通信接口 RS-232/以太网
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合,其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。
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中商贸易网供应商武汉普赛斯仪表有限公司供应8000V半导体测试高压程控电源，为您提供详细的产品报价、参数、图片等商品信息，如需进一步了解，请与厂家直接联系。
产品信息网址：http://coai.net/productdetail/4236.html
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