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普赛斯ATE-3146静态测试机是一款专注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaNHEMT等功率芯片及器件的静态参数测试系统；采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试。

产品特点：

单工站MOS DC IV参数测试UPH高达9K(注：单工站，7个DC IV测试项)

单台主机支持3工站IV+CV或4工站IV并行测

专用于Si/SiC MOSFET、二极管、三极管、IGBT等KGD、DBC及FT测试

采用PXIe板卡架构，可根据需求灵活搭配板卡实现精准把控测试成本

单卡高达2G局部通信总线带宽支持PXIe，TrigBus同步触发支持高达8线局部总线同步

6U标准板卡兼容3U板卡

提供单卡1200V大电压、 单卡400A大电流输出能力

支持扩展高压、高流模组，蕞高可达3500V/2000A

内置精密测量电路,实现pA级和uΩ级的精准测量

CV测试中速模式下基本精度高达0.05%

测试项目

二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd

三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN FET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs

武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。更多有关SiC MOS功率器件静态参数测试机可灵活搭配板卡详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六