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普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、纳安电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。半导体功率测试机-功率器件测试设备认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；

图5:IGBT测试系统图

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

高电压、大电流

具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展10kV)

具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

高精度测量

纳安级漏电流,μΩ级导通电阻

0.1%精度测量

模块化配置

可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

测试效率高

内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

支持国标全指标的一键测试

扩展性好

支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

“魔方”式的系统组成

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,主要由测试仪表、上位机软件、电脑、矩阵开关、夹具、高压及大电流信号线等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的静态测试主机,内置多种电压、电流等级的测量单元。结合自主开发的上位机软件控制测试主机,可根据测试项目需要,选择不同的电压、电流等级,以满足不同测试需求。

系统主机的测量单元,主要包括普赛斯P系列高精度台式脉冲源表、HCPL系列高电流脉冲电源、E系列高压源测单元、C-V测量单元等。其中,P系列高精度台式脉冲源表用于栅极驱动与测试使用,Z大支持30V@10A脉冲输出与测试;HCPL系列高电流脉冲电源用于集电极、发射极之间电流测试及续流二极管的测试,15us的超快电流上升沿,自带电压采样,单设备支持Z大1000A脉冲电流输出;E系列高压源测单元用于集电极、发射极之间电压、漏电流测试,Z高支持3500V电压输出,并且自带电流测量功能。系统的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,精度为0.1%。

国标全指标的“一键”测试项目

普赛斯现在可以提供完整的IGBT芯片和模块参数的测试方法,可以轻松实现静态参数l-V和C-V的测试，终输出产品Datasheet报告。这些方法同样适用于宽禁带半导体SiC和GaN功率器件。

静态测试夹具方案

针对市面上不同封装类型的IGBT产品,普赛斯提供整套夹具解决方案,可用于TO单管、半桥模组等产品的测试。

PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级高精度源表到kA级、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，了国内IGBT测试的技术潮流。半导体功率测试机-功率器件测试设备找普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；