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国产半导体参数分析仪品牌推荐普赛斯仪表

普赛斯仪表国产半导体参数分析仪配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU、低压脉冲SMU、大电流SMU;用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配。全“芯”新品!SPA6100半导体参数分析仪,1200V/100A,一键执行测试,超高性价比!模块化集成设计,配置多种不同规格的SMU,可同时进行直流I-V、超快脉冲式I-V、C-V 测试,帮助你实现测试效率与开支的平衡!

  • 产品单价: 1000.00元/台
  • 产品产地:

    湖北省 武汉市

  • 产品类别:

    切割设备

  • 广告期限:

    长期有效

  • 更新时间: 2025-07-08 16:37
  • 中商贸易网人工采购咨询热线: 该企业待认证
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产品参数

产品货号:无 产品规格:SPA6100
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货 所在地区:湖北省 武汉市
有效期至: 长期有效 品牌名称:

详情介绍

国产半导体参数分析仪特点

30μV-1200V,1pA-100A 宽量程测试能力

测量精度高,全量程下可达0.03%

内置标准器件测试程序,直接调用测试简便

自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

供灵活的夹具定制方案,兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集


应用场景及测试参数

1纳米材料:电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压

2柔性材料:拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度

3IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲线

4分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等

5光电探测器:暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R

6钙钛矿电池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线

8传感器/忆阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试


特色优势

1模块化配置:可灵活配置多种测量单元,预留升级空间,方便后期升级

2图形化界面:内置常用器件模板,可直接调用,并且支持输出三种模式测试报告

3自动化测试:内嵌低漏电矩阵开关,可自动切换测试电路,实现一键测试功能

4夹具可定制:支持二极管、三极管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件

5多设备联动:可与探针台、温控模块等搭配使用,温控范围:室温~250℃

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加快半导体材料、芯片器件设计以及先进工艺的开发验证

1、支持直流、脉冲I-V测试

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2、内置专业矩阵开关,提高测试效率

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3、可与多种设备联动使用:晶圆级芯片性能测试需要与探针台联动,可靠性评估会涉及常温以及高低温等条件

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4、三同轴线缆提升小电流测试精度

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图形化软件界面

配合普赛斯自主开发的专业测试软件,SPA6100可轻松实现半导体材料,器件的参数测试。系统内置常用器件模板,如二极管, 三极管,MOSFET。测试过程中,可直接调用,只需简单设置测试参数即可。软件支持测试数据显示,以及曲线绘制。测试完毕后,可将数据以及曲线导出保存。

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灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可 用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管,模组类产品的测试;也可与探针台连接,实现晶圆级芯片测试。


联系我们:

武汉普赛斯仪表有限公司陶女士

Web:

Add:武汉市东湖技术开发区光谷三路777号6号保税物流园6号楼4楼

Tel

Mobile:

QQ:1993323884

Email:taof@




中商贸易网供应商武汉普赛斯仪表有限公司供应国产半导体参数分析仪品牌推荐普赛斯仪表,为您提供详细的产品报价、参数、图片等商品信息,如需进一步了解国产半导体参数分析仪品牌推荐普赛斯仪表,请与厂家直接联系,请在联系时说明是在中商贸易网看到这条商机的。

本产品信息网址:http://coai.net/productdetail/4262.html

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