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入驻第 3 年 | 主营:切割设备

国产半导体参数分析仪品牌推荐普赛斯仪表

普赛斯仪表国产半导体参数分析仪配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU、低压脉冲SMU、大电流SMU;用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配。全“芯”新品!SPA6100半导体参数分析仪,1200V/100A,一键执行测试,超高性价比!模块化集成设计,配置多种不同规格的SMU,可同时进行直流I-V、超快脉冲式I-V、C-V 测试,帮助你实现测试效率与开支的平衡!

产品单价
¥1000
(台)
现货供应
类别切割设备 产地湖北省 武汉市 规格SPA6100
购买数量:
单价 ¥1000
合计:¥1000
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服务 价格合理 诚信经营 长期有效
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企 公司简介 武汉普赛斯仪表有限公司

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产品详情

参数与介绍
产品货号无 产品规格SPA6100
所在地湖北省 武汉市 品牌名称
有效期至长期有效 产品类别切割设备

国产半导体参数分析仪特点

30μV-1200V,1pA-100A 宽量程测试能力

测量精度高,全量程下可达0.03%

内置标准器件测试程序,直接调用测试简便

自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

供灵活的夹具定制方案,兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集


应用场景及测试参数

1纳米材料:电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压

2柔性材料:拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度

3IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲线

4分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等

5光电探测器:暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R

6钙钛矿电池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线

8传感器/忆阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试


特色优势

1模块化配置:可灵活配置多种测量单元,预留升级空间,方便后期升级

2图形化界面:内置常用器件模板,可直接调用,并且支持输出三种模式测试报告

3自动化测试:内嵌低漏电矩阵开关,可自动切换测试电路,实现一键测试功能

4夹具可定制:支持二极管、三极管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件

5多设备联动:可与探针台、温控模块等搭配使用,温控范围:室温~250℃

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加快半导体材料、芯片器件设计以及先进工艺的开发验证

1、支持直流、脉冲I-V测试

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2、内置专业矩阵开关,提高测试效率

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3、可与多种设备联动使用:晶圆级芯片性能测试需要与探针台联动,可靠性评估会涉及常温以及高低温等条件

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4、三同轴线缆提升小电流测试精度

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图形化软件界面

配合普赛斯自主开发的专业测试软件,SPA6100可轻松实现半导体材料,器件的参数测试。系统内置常用器件模板,如二极管, 三极管,MOSFET。测试过程中,可直接调用,只需简单设置测试参数即可。软件支持测试数据显示,以及曲线绘制。测试完毕后,可将数据以及曲线导出保存。

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灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可 用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管,模组类产品的测试;也可与探针台连接,实现晶圆级芯片测试。


联系我们:

武汉普赛斯仪表有限公司陶女士

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Add:武汉市东湖技术开发区光谷三路777号6号保税物流园6号楼4楼

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产品信息网址:http://coai.net/productdetail/4262.html

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