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半导体参数分析仪（Semiconductor Parameter Analyzer，简称 SPA）是专门用于精确测量半导体器件电学特性的高精度测试仪器，核心作用是对二极管、三极管、MOSFET、IGBT、传感器、光电器件等各类半导体器件，以及晶圆、半导体材料的电学参数进行定量检测与特性分析，是半导体研发、晶圆制造、器件封装测试等环节的核心测试设备。

简单来说，它是半导体器件的 “电学体检仪”，能模拟器件实际工作的电压/电流环境，精准采集器件在不同偏置条件、温度、频率下的电学响应，从而判断器件的性能、可靠性、一致性，验证研发设计的合理性，把控生产制造的良率。

关键特点

1. 超高精度：电流测量精度可达pA级，电压精度达μV级，满足微小电流器件（如材料、传感器）的测试需求；

2. 宽量程覆盖：可适配从微功率半导体器件到功率半导体器件（如 IGBT、功率 MOS）的全类型测试，量程跨度达 10 + 个数量级；

3. 多通道扩展：可配置多个 SMU 通道，实现对多引脚、阵列式器件（如 CMOS 芯片、晶圆阵列）的同步测试，提升测试效率；

4. 可编程与自动化：支持 SCPI 等标准测试指令，可与探针台、高低温箱、晶圆测试系统等配套，组成全自动半导体测试平台，实现晶圆级、批量器件的自动化测试；

5. 高稳定性：具备优异的抗干扰能力和温漂补偿能力，保证不同测试环境、不同批次下的测量一致性。

主流应用场景

1. 研发阶段：半导体器件设计的仿真验证、新材料（如第三代半导体 SiC、GaN）的特性分析、新型器件（如量子器件、微纳器件）的性能表征；

2. 晶圆制造：晶圆片的中测（Probe Test），检测晶圆上的裸芯片是否符合性能要求，剔除不良芯片，减少后续封装成本；

3. 封装测试：成品半导体器件的终测，验证封装后的器件电学性能是否达标，把控出货品质；

4. 质量检测与失效分析：对失效的半导体器件进行电学特性复测，定位失效原因（如设计缺陷、制造工艺偏差、封装损伤等）。

武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家高新技术产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士学历为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。目前生产的半导体仪器已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出优势，特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面。

PMST系列功率器件静态测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、 输出电容、反向传输电容等。 并配置多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

ATE-3146型静态参数测试机，采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析，支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试

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武汉普赛斯一直专注于半导体的电性能测试仪表开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、大电流脉冲电源、CS/PXIe系列插卡式源表、功率器件测试设备、半导体参数分析仪等产品,广泛应用在半导体器件材料的分析测试领域。欲了解更多普赛斯仪表产品信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！

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武汉普赛斯仪表有限公司陶女士

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